红外线LED芯片

(日本高档IRLED芯片制造）

       850nm 系列：

型号:I56JT5W,正向压降:典型值:1.40V;总发射功率:大于4.5mW，平均5.2mW;芯片尺寸:14*14mil

        I56KT5W,正向压降:1.45V;总发射功率:大于4.5Mw，平均5.3mW;芯片尺寸:12*12mil

    注：此日本红外 LED芯片均为 N/P反极性的(与台湾芯片相反) ，打线的顶端为N型，负极.