紅外線LED芯片

(日本高檔IRLED芯片製造）

       850nm 系列：

型號:I56JT5W,正向壓降:典型值:1.40V;總發射功率:大於4.5mW，平均5.2mW;芯片尺寸:14*14mil

        I56KT5W,正向壓降:1.45V;總發射功率:大於4.5Mw，平均5.3mW;芯片尺寸:12*12mil

    注：此日本紅外 LED芯片均為 N/P反極性的(與臺灣芯片相反) ，打線的頂端為N型，負極.